IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。IGZO为n型半导体材料，存在3.5 eV左右的带隙，电子迁移率比非晶硅高1~2个数量级，其比较大特点是在非晶状态下依然具有较高的电子迁移率。由于没有晶界的影响，非晶结构材料比多晶材料有更好的均匀性，对于大面积制备有巨大的优势。正因为IGZO TFT具有高迁移率、非晶沟道结构、全透明和低温制备这四大优势，使得IGZO作为TFT沟道材料比多晶硅和非晶硅更符合显示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未来发展趋势。中国台湾光伏行业陶瓷靶材ITO靶材中氧化铟：氧化锡的配比分为90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。
磁控溅射时靶材表面变黑我们可以想到的1、可能靶材是多孔的，（细孔）在孔中有一些有机污染物（极端可能性）；2、可能靶材有点粗糙，用纸巾用异丙醇擦拭，粗糙的表面在目标表面保留了一些细薄的组织纤维，这可能是碳污染的来源；3、沉积速率可能相当高，并产生非常粗糙的沉积物；4、基板与靶材保持非常接近，在目前的溅射条件下（功率、压力、子靶材距离）有一些发热，气体中有一些污染；5、真空室漏气或漏水，真空室内有挥发的成分，没有充入氩气，充入空气或其他气体，可能引起中毒，这些成分与靶材反应，变成黑色物质覆盖靶材表面。
陶瓷靶材和金属靶材各自优缺点：1.导电性:金属靶材都具有导电性,可以适应各种不同电源类型机台,而陶瓷靶材因为大部分不具备导电性,只能使用射频电源. 2.导热性:金属靶材导热性能好,溅射时可以大功率运行.陶瓷靶材导热性较差,溅射时功率不宜过高.复合性:3. 金属靶材内很难掺入其他陶瓷类物质,溅射后膜层功能比较单一.陶瓷靶材可以根据需要掺入不同金属及陶瓷类物质,溅射后可以形成多种物质组成的复合膜层,这点陶瓷靶材比金属靶材占优.AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。
